Публикация №8981(БАЛЛЫ 5)
| Название публикации | RAMAN-STUDY OF DISORDER IN LASER-ANNEALED III-V-SEMICONDUCTORS |
|---|---|
| Название на другом языке | |
| Тип публикации | Статья |
| Издание | PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH |
| Издатель | Не задан |
| ISBN | Не задан |
| DOI | Не задан |
| Год издания | 1988 |
| Том | 106 |
| Номер | 1 |
| Глава | Не задан |
| Страницы | 261-270 |
| Аннотация | Не задан |
| Авторы | |
| ссылка в Internet | |
| РИНЦ | 0 |
| WoS | 0 |
| Баллы | 5 |
| Цитируемые публикации авторов ФИЦ ИУ РАН | (1984) LAYERED STRUCTURE FORMATION IN THE ION-IMPLANTED GAAS UNDER THE SINGLE SUBNANOSECOND LASER-PULSE |
