Публикация №8981

Название публикацииRAMAN-STUDY OF DISORDER IN LASER-ANNEALED III-V-SEMICONDUCTORS
Название на другом языке
Тип публикацииСтатья
ИзданиеPHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH
ИздательНе задан
ISBNНе задан
DOIНе задан
Год издания1988
Том106
Номер1
ГлаваНе задан
Страницы261-270
АннотацияНе задан
АвторыRESHINA II
ссылка в Internet
РИНЦ0
WoS0
Цитируемые
публикации авторов
ИПИ РАН

(1984) LAYERED STRUCTURE FORMATION IN THE ION-IMPLANTED GAAS UNDER THE SINGLE SUBNANOSECOND LASER-PULSE