Публикация №6754(БАЛЛЫ 5)
| Название публикации | DEGREE OF DISORDER IN LASER-ANNEALED A3B5 SEMICONDUCTORS FROM RAMAN-SCATTERING SPECTRA |
|---|---|
| Название на другом языке | |
| Тип публикации | Статья |
| Издание | FIZIKA TVERDOGO TELA |
| Издатель | Не задан |
| ISBN | Не задан |
| DOI | Не задан |
| Год издания | 1987 |
| Том | 29 |
| Номер | 4 |
| Глава | Не задан |
| Страницы | 1247-1249 |
| Аннотация | Не задан |
| Авторы | |
| ссылка в Internet | |
| РИНЦ | 0 |
| WoS | 0 |
| Баллы | 5 |
| Цитируемые публикации авторов ФИЦ ИУ РАН | (1984) LAYERED STRUCTURE FORMATION IN THE ION-IMPLANTED GAAS UNDER THE SINGLE SUBNANOSECOND LASER-PULSE |
