Публикация №6754

Название публикацииDEGREE OF DISORDER IN LASER-ANNEALED A3B5 SEMICONDUCTORS FROM RAMAN-SCATTERING SPECTRA
Название на другом языке
Тип публикацииСтатья
ИзданиеFIZIKA TVERDOGO TELA
ИздательНе задан
ISBNНе задан
DOIНе задан
Год издания1987
Том29
Номер4
ГлаваНе задан
Страницы1247-1249
АннотацияНе задан
АвторыRESHINA II
ссылка в Internet
РИНЦ0
WoS0
Цитируемые
публикации авторов
ИПИ РАН

(1984) LAYERED STRUCTURE FORMATION IN THE ION-IMPLANTED GAAS UNDER THE SINGLE SUBNANOSECOND LASER-PULSE