Публикация №15297(БАЛЛЫ 80)
| Название публикации | Development of highly reliable BiFeO3/HfO2/Silicon gate stacks for ferroelectric non-volatile memories in IoT applications |
|---|---|
| Название на другом языке | |
| Тип публикации | Статья |
| Издание | Journal of Materials Science: Materials in Electronics |
| Издатель | Не задан |
| ISBN | Не задан |
| DOI | 10.1007/s10854-020-04713-9 |
| Год издания | 2020 |
| Том | 31 |
| Номер | 24 |
| Глава | Не задан |
| Страницы | 22107-22118 |
| Аннотация | Не задан |
| Авторы | |
| ссылка в Internet | |
| РИНЦ | 0 |
| WoS | 0 |
| Баллы | 80 |
| Цитируемые публикации авторов ФИЦ ИУ РАН |
