Публикация №15297(БАЛЛЫ 80)
Название публикации | Development of highly reliable BiFeO3/HfO2/Silicon gate stacks for ferroelectric non-volatile memories in IoT applications |
---|---|
Название на другом языке | |
Тип публикации | Статья |
Издание | Journal of Materials Science: Materials in Electronics |
Издатель | Не задан |
ISBN | Не задан |
DOI | 10.1007/s10854-020-04713-9 |
Год издания | 2020 |
Том | 31 |
Номер | 24 |
Глава | Не задан |
Страницы | 22107-22118 |
Аннотация | Не задан |
Авторы | |
ссылка в Internet | |
РИНЦ | 0 |
WoS | 0 |
Баллы | 80 |
Грант % | 100 |
Цитируемые публикации авторов ФИЦ ИУ РАН |